采用SiC碳化硅MOSFET功率模塊的固態變壓器加速取代傳統變壓器！

使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造電力電子變壓器（power electronic transformer，PET)！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造固態變壓器（solid-state transformer，SST）！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT的電力電子變壓器（power electronic transformer，PET)也叫固態變壓器（solid-state transformer，SST），實現更高的電力電子變壓器（power electronic transformer，PET)也叫固態變壓器（solid-state transformer，SST）效率，更小的電力電子變壓器（power electronic transformer，PET)也叫固態變壓器（solid-state transformer，SST）體積重量！更低的電力電子變壓器（power electronic transformer，PET)也叫固態變壓器（solid-state transformer，SST）成本！

 

基本半導體的SiC碳化硅功率器件戰略能夠滿足所有關鍵因素的要求：BASiCSEMI基本半導體多樣化的晶圓和采購網絡（BASiCSEMI基本半導體自有晶圓廠及與代工廠相結合，BASiCSEMI基本半導體自有封裝廠與代工相結合）、BASiCSEMI基本半導體一流的平面柵器件B3M及更新的溝槽器件（研發中）、BASiCSEMI基本半導體最全面的功率模塊封裝和電力電子建模、卓越的系統理解、與最廣泛的汽車、BASiCSEMI基本半導體工業和可再生能源客戶的合作，以及未來可根據實際市場需求進行擴展的最佳成本彈性生產足跡，正是這些獨特的因素，使BASiCSEMI基本半導體碳化硅功率器件業務在未來的發展中不斷取得成功。

 

國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT變流器，實現更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！

國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC單管替代正在加速替代IFX英飛凌ON安森美ST意法FUJI富士IGBT單管!

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隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低電力電子變壓器（power electronic transformer，PET)也叫固態變壓器（solid-state transformer，SST）系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

 

隨著能源互聯網、堅強智能電網以及泛在電力物聯網的建設和發展，電力電子技術的應用舉足輕重。傳統的硅基電力電子器件受限于材料特性難以在耐壓、耐溫、開關頻率水平有所突破，而以國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET器件為代表的寬禁帶半導體材料器件，因其優異的材料特性，尤其在中高壓電能變換設備的應用中有著更為廣闊的前景。其應用范例之一即受限于硅基器件耐壓水平的固態變壓器。固態變壓器作為智能電網的關鍵設備，除具備傳統工頻變壓器的功能外，還在電能靈活變換、模塊化集成、功率調控等方面獨具優勢。因此，對于國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET電力電子器件以及其典型應用的固態變壓器的研究有著十分重要的現實意義。

 

使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造的電力電子變壓器除了能實現傳統工頻交流變壓器的電壓變換和電氣隔離功能之外,還在故障切除、功率調控、分布式可再生能源接入等方面有獨特優勢。

 

IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。

 

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™研發推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業變頻器、逆變焊機、四象限工業變頻器等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

 

為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應用需求，BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。

B3M040120Z是BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發的最新產品，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于第二代碳化硅MOSFET技術開發的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業電源中。

BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。

 

 

為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。