提供各種電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管和平面、溝槽柵碳化硅MOSFET，

產(chǎn)品可應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境及高溫環(huán)境，各項性能指標(biāo)達到國際領(lǐng)先水平

B3D10065E

B4D30120H

B3D10065KF

B3D10065KS

B3D10065F

B3D50120H2

B4D60120H2

B3D25120H

B4D40120H

B2DM060065N1

B3D05120E

B3D20120H

B4D20120H

B3D40120HC

B2D60120H1

B2DM100120N1

B1D02065E

B1D02065K

B2D04065E1

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B2D04065K1

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B1D06065F

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B2D06065Q

B1D08065E

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B1D08065KF

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B2D08065KS

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B2D10065F1

B1D10065H

B2D10065K1

B2D10065KF1

B1D10065KS

B2D10065Q

B2D10065KS

B1D12065K

B1D15065K

B2D15065K

B2D16065HC1

B2D20065H1

B3D20065H

B2D20065HC1

B3D20065HC

B2D20065F1

B2D20065K1

B3D20065K

B2D20065TF

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B3D30065HC

B1D30065TF

B2D30065H1

B3D30065H

B2D40065H1

B2D40065HC1

B3D40065HC

B2D02120E1

B2D02120K1

B2D05120E1

B2D05120K1

B3D05120K

B2D10120E1

B3D10120E

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B2D10120HC1

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B2D15120H1

B2D16120HC1

B2D20120H1

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B2D40120H1

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B3D40120HC

BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET

B2M160120H‍ B‍2M160120Z‍ B2M160120R‍

B2M080120H‍ B2M080120Z‍‍ B2M080120R‍‍

AB2M080120H‍‍ AB2M080120Z AB2M080120R

B2M065120H B2M065120Z B2M065120R

B2M040120H B2M040120Z‍ B2M040120R‍

AB2M040120Z AB2M040120R

B2M032120Y

*B2M030120H *B2M030120Z *B2M030120R

B2M020120Y

*B2M018120H *B2M018120Z

B2M011120HK

*B2M009120Y

B2M600170H B2M600170Z B2M600170R

Part No.

BMF240R12E2G3‍

汽車級全碳化硅功率模塊是基本公司為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore™6‍汽車級HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、‍Pcore™2‍汽車級DCM模塊、‍Pcore™1‍汽車級TPAK模塊、Pcore™2‍汽車級ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本半導(dǎo)體最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。

基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。我們的門極驅(qū)動芯片包括隔離驅(qū)動芯片、自舉橋式驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅(qū)動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。

BTD25350MMBWR 帶禁用功能，死區(qū)時間設(shè)置，米勒鉗位功能

BTD25350MMCWR

BTD25350MSBWR 帶禁用功能，死區(qū)時間設(shè)置，開通、關(guān)斷分別控制

BTD25350MSCWR

BTD25350MEBWR 帶禁用功能，死區(qū)時間設(shè)置，副邊正電源帶欠壓保護功能

BTD25350MECWR

BTD21520MAWR 雙通道同相輸入，

BTD21520MBWR 死區(qū)配置和禁用功能

BTD21520SAWR 雙通道同相輸入，

BTD21520SBWR 帶禁用功能

BTD21520EAWR 單PWM輸入，

BTD21520EBWR 死區(qū)配置和禁用功能

‍BTD21520MAPR 雙通道同相輸入， 死區(qū)配置和禁用功能雙通道同相輸入,

BTD21520MBPR 死區(qū)配置和禁用功能

BTD21520SAPR 雙通道同相輸入，

BTD21520SBPR 帶禁用功能

BTD21520EAPR 單PWM輸入，

BTD21520EBPR 死區(qū)配置和禁用功能

BTD5350MBPR 米勒鉗位功能

BTD5350MCPR

BTD5350MBWR

BTD5350MCWR

BTD5350SBPR 開通、關(guān)斷

BTD5350SCPR

‍BTD5350SBWR‍ 分別控制

BTD5350SCWR

BTD5350EBPR 副邊正電源

BTD5350ECPR

BTD5350EBWR 帶欠壓保護功能

BTD5350ECWR

BTL27523R 反相

BTL27523BR

BTL27524R 同相

BTL27524BR

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

 

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP。

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。

 

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復(fù)雜，頻率低，采用基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造，控制簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

 

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。

BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。

 

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。