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BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發射極端子，繞過柵極控制回路上的發射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。主要規格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5國產替代，AIKW50N65RF5國產替代，IKW50N65SS5國產替代），BGH50N65ZF1 （IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5國產替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5，IKW75N65SS5國產替代），BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5國產替代），BGH40N120HF（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7國產替代）特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括：車載充電機（OBC）、ESS儲能系統、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統 (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS) ，基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。該器件將傳統的硅基IGBT和碳化... [詳細介紹]